Spectroscopie de Photoélectrons induits par rayons X (XPS)
Afin de répondre aux problématiques de caractérisations de surface, notre laboratoire est équipé d’un XPS de dernière génération (PHI GENESIS développé par Physical Electronics).
Le PHI Genesis offre une grande sensibilité et un débit élevé pour les grandes et petites surfaces grâce notamment à la source de rayons X à balayage micro focalisé (5 µm). Il dispose également de canons de pulvérisation ionique (Argon) :
- monoatomique pour le profilage en profondeur des matériaux inorganiques
- clusters pour le profilage de polymères et de matériaux hybrides).
Il permet de déterminer avec précision la composition atomique ainsi que l’environnement chimique des éléments en surface d'un matériau (5-10 nm de profondeur) solide, y compris les isolants, les organiques, les polymères, les poudres, les métaux et les verres.
Ces caractéristiques en font un instrument essentiel pour étudier les matériaux avancés d'aujourd'hui et pour répondre à vos besoins en matière de caractérisation et de résolution de défaillances :
- Problèmes de corrosion
- Identification de contaminations
- Analyse d’empilements (composition et épaisseur)
- propriétés catalytiques …
Plus en détails :
- Source micro focalisée :
La source micro focalisée de PHI fournit des images d'électrons secondaires induites par rayons X (SXI) générées par balayage d'un faisceau focalisé inférieur à 5 μm sur la surface de l'échantillon.
Tout comme un SEM, les SXI peuvent être utilisées pour naviguer vers les zones d'intérêt et sélectionner les points à analyser en temps réel. Les images SXI offrent un outil puissant pour localiser les petites zones caractéristiques d'intérêt pour l'analyse, les contaminations et inhomogénéités.
- Profilage des matériaux :
Le canon Ar monoatomique standard peut générer des faisceaux d'ions Ar+ de 5 eV à 5 keV et convient parfaitement à la plupart des applications de profilage de matériaux inorganique.
Il est bien connu que les canons ioniques monoatomiques Ar causent généralement de graves dommages chimiques lors de la pulvérisation de la plupart des matériaux polymères et organiques. C’est pourquoi, le Genesis est équipé d’un canon d’agrégats d’Argon 20 kV (GCIB) pour le profil en profondeur de nombreux films polymères et organiques tout en minimisant le risque de dommages chimiques.
Un faisceau de rayons X focalisé, un spectromètre haute sensibilité, un canon ionique argon à colonne flottante haute performance, une neutralisation automatisée de la charge à double faisceau, une rotation Zalar, la possibilité de Profilage multipoint au sein d'un seul cratère de pulvérisation et des algorithmes avancés de réduction des données offrent la capacité de profilage XPS la plus performante disponible.
Nos points forts
- Analyse de tout matériau compatible avec l'ultravide, y compris les isolants, les organiques, les polymères, les poudres, les métaux et les verres.
- Détermination de la composition élémentaire (tous les éléments sauf H et He)
- Analyse quantitative + stœchiométrique avec des limites de détection d'environ 0,1% atomique.
- Détermination des fonctions chimiques et des degrés d’oxydation
- Imagerie avec une résolution spatiale <5 µm (Scanning X-ray induced image).
- Profilage de la composition en profondeur à l’aide d’un canon Ar pour le profil de la plupart des matériaux inorganiques.
- Profilage des matériaux organiques par agrégats d’Argon.
