Röntgen-Photoelektronen-Spektroskopie (XPS)

Um den Problemen der Oberflächencharakterisierung gerecht zu werden, ist unser Labor mit einem XPS der neuesten Generation (PHI GENESIS, entwickelt von Physical Electronics) ausgestattet.

Der PHI Genesis bietet eine hohe Empfindlichkeit und einen hohen Durchsatz für große und kleine Oberflächen, insbesondere dank der Röntgenquelle mit mikrofokussierter Abtastung (5 µm). Er verfügt außerdem über Ionensprühkanonen (Argon) :

- Monoatom für die Tiefenprofilierung von anorganischen Materialien.

- Cluster für die Profilierung von Polymeren und Hybridmaterialien).

Es ermöglicht die genaue Bestimmung der atomaren Zusammensetzung sowie der chemischen Umgebung von Elementen an der Oberfläche eines festen Materials (5-10 nm Tiefe), einschließlich Isolatoren, Organika, Polymeren, Pulvern, Metallen und Gläsern.

• Diese Eigenschaften machen es zu einem wichtigen Instrument für die Untersuchung der heutigen fortschrittlichen Materialien und für die Erfüllung Ihrer Anforderungen an die Charakterisierung und Fehlerbehebung:
• - Korrosionsprobleme
• - Identifizierung von Kontaminationen
• - Analyse von Stapeln (Zusammensetzung und Dicke).
• - katalytische Eigenschaften ...

Weitere Einzelheiten :

• - Mikrofokussierte Quelle :

Die mikrofokussierte Quelle von PHI liefert Bilder von röntgeninduzierten Sekundärelektronen (SXI), die durch Abtasten eines fokussierten Strahls von weniger als 5 μm über die Probenoberfläche erzeugt werden.

Ähnlich wie ein REM können SXIs verwendet werden, um zu Bereichen von Interesse zu navigieren und Punkte auszuwählen, die in Echtzeit analysiert werden sollen. SXI-Bilder bieten ein leistungsfähiges Werkzeug, um kleine, charakteristische Bereiche von Interesse für die Analyse, Kontaminationen und Inhomogenitäten zu lokalisieren.Profilage des matériaux :

Die standardmäßige einatomige Ar-Kanone kann Ar+-Ionenstrahlen von 5 eV bis 5 keV erzeugen und eignet sich hervorragend für die meisten Profilierungsanwendungen von anorganischen Materialien.

Es ist allgemein bekannt, dass monoatomare Ar-Ionenkanonen beim Sputtern der meisten polymeren und organischen Materialien in der Regel schwere chemische Schäden verursachen. Daher ist das Genesis mit einer 20-kV-Argon-Aggregatkanone (GCIB) für die Tiefenprofilierung vieler polymerer und organischer Filme bei gleichzeitiger Minimierung des Risikos chemischer Schäden ausgestattet.

Ein fokussierter Röntgenstrahl, ein hochempfindliches Spektrometer, eine leistungsstarke Argon-Ionenkanone mit schwimmender Säule, eine automatisierte Neutralisierung der Ladung mit zwei Strahlen, eine Zalar-Rotation, die Möglichkeit der Mehrpunktprofilierung innerhalb eines einzelnen Sprühkraters und fortschrittliche Algorithmen zur Datenreduktion bieten die leistungsfähigste XPS-Profilierungskapazität, die derzeit verfügbar ist.